半导体CVD设备国产化进程加速，钼网在高温沉积环节中的关键作用被重新认识
编辑：muxuan 2026-06-25 16:16:42“2026年国内半导体CVD设备市场规模预计突破150亿元，国产设备市占率从15%提升至28%，核心零部件国产化需求迫切。”
这是SEMI中国2026年6月发布的半导体设备市场报告中的关键数据。在CVD（化学气相沉积）设备中，钼网作为关键零部件，正从“进口依赖”走向“国产替代”。
钼网在CVD设备中的作用
在CVD沉积过程中，钼网扮演着多重角色：
- 气体分布板——作为气体分布器，将反应气体均匀输送至晶圆表面，保证薄膜沉积均匀性。钼的耐高温性和低热膨胀系数使其成为理想材料；
- 加热元件支撑——CVD腔体工作温度通常在600-1200℃，钼网作为加热元件的支撑结构，要求同时具备高温强度和尺寸稳定性；
- 颗粒阻挡网——防止腔体内部的颗粒污染物落至晶圆表面，影响良率。
为什么国产化需求迫切？
长期依赖进口的钼网存在明显痛点：
- 交期不可控——国外供应商交货周期长达12-16周，影响设备交付进度；
- 价格波动大——受国际钼价和贸易政策影响，价格不稳定；
- 定制响应慢——国产设备商需要频繁迭代设计，进口供应商配合度低。
国产钼网的技术突破
经过近两年技术攻关，国产钼网在关键指标上已实现突破：
- 丝径公差：可控制在±0.005mm以内，与进口产品持平；
- 高温抗蠕变性：在1200℃/1000小时测试中，尺寸变化率小于0.5%；
- 表面清洁度：碳/氧杂质含量控制达到半导体级要求（<50ppm）。
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